Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡(jiǎn)稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET，用于鋰離子(Li-ion)電池組（例如移動(dòng)設(shè)備電池組）的電池保護(hù)電路中。今天開始發(fā)貨。
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鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)健的保護(hù)電路來減少充電和放電時(shí)產(chǎn)生的熱量并提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，需要能夠提供低導(dǎo)通電阻的小巧輕薄型MOSFET。
SSM14N956L采用Toshiba的微工藝，已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也是如此。這就確保了低功率損耗（由于行業(yè)領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻特性）和低待機(jī)功率（通過行業(yè)領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流特性實(shí)現(xiàn)）。這些品質(zhì)有助于延長(zhǎng)電池的工作時(shí)間。新產(chǎn)品還采用了全新的小型薄型封裝TCSPED-302701（2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm (typ.)）。
Toshiba將繼續(xù)開發(fā)MOSFET產(chǎn)品，用于鋰離子電池組供電設(shè)備中的保護(hù)電路。
應(yīng)用
· 使用鋰離子電池組的消費(fèi)類電子產(chǎn)品和辦公及個(gè)人設(shè)備，包括智能手機(jī)、平板電腦、移動(dòng)電源、可穿戴設(shè)備、游戲機(jī)、電動(dòng)牙刷、小型數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼單反相機(jī)等。
特性
· 行業(yè)領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
· 行業(yè)領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
· 小巧輕薄型TCSPED-302701封裝：2.74mm x 3.0mm，t=0.085mm (typ.)
· 共漏極結(jié)構(gòu)，可輕松用于電池保護(hù)電路中
注意：
[1]：在具有相同評(píng)級(jí)的產(chǎn)品中。截至2023年5月的數(shù)據(jù)，基于Toshiba的調(diào)查結(jié)果。
主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta=25°C）
部件編號(hào)
SSM14N956L
SSM10N954L[2]
配置
N溝道共漏極
絕對(duì)
最大
額定值
源極電壓VSSS (V)
12
柵極電壓VGSS (V)
±8
拉電流（直流）IS (A)
20.0
13.5
電氣
特性
柵極漏電流IGSS
max (μA)
@VGS＝ ±8V
±1
源極
導(dǎo)通電阻RSS(ON)
typ. (mΩ)
@VGS＝4.5V
1.00
2.1
@VGS＝3.8V
1.10
2.2
@VGS＝3.1V
1.25
2.4
@VGS＝2.5V
1.60
3.1
封裝
名稱
TCSPED-302701
TCSPAC-153001
典型尺寸(mm)
2.74x3，
t=0.085
1.49x2.98，
t=0.11
抽樣檢查和供貨情況
在線購(gòu)買
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注意：
[2]已發(fā)布產(chǎn)品。
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SSM14N956L
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SSM14N956L
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關(guān)于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進(jìn)半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，憑借半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和商業(yè)伙伴提供卓越的離散半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD產(chǎn)品。
公司在全球各地的2.15萬名員工同心同德，竭力實(shí)現(xiàn)公司產(chǎn)品價(jià)值的最大化，同時(shí)重視與客戶的密切合作，促進(jìn)價(jià)值和新市場(chǎng)的共同創(chuàng)造。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待在近8000億日元（61億美元）的年度銷售額基礎(chǔ)上再接再厲，為全人類創(chuàng)造更加美好的未來。
